場效應管是利用電場控制的半導體器件，具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點。符號如圖所示，場效應管有三個極，分別是源極S，柵極G，漏極D。場效應管的文字符號是“ VT ”。
場效應管可分結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOSFET）兩大類。結(jié)型場效應管因有兩個PN結(jié)而得名；絕緣柵型場效應管則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。
結(jié)型場效應管又分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場效應管除有N溝道和P溝道之分外，還有增強型與耗盡型之分。
絕緣柵型場效應管電路符號
絕緣柵型場效應管：種利用半導體表面的電場效應，感應電荷多少改變導電溝道來控制漏極電流的電子元器件；柵極與半導體間絕緣； N溝道在一塊濃度較低P型硅上擴散兩個濃度較高N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。
增強型場效應管電路圖符號
結(jié)型場效應管電路圖符號
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